安森美半导体NTMFS3D6N10MCL单N沟道功率MOSFET，专为提供高热性能的紧凑高效设计而设计

来源：HQBUY 发布时间：2020-10-10

摘要： 安森美半导体NTMFS3D6N10MCL单N沟道功率MOSFET专为提供高热性能的紧凑高效设计而设计。该MOSFET具有低漏-源电阻（R DS（on）），以最大程度地减小传导损耗，而低电容则可以最大程度地减小驱动器损耗。

安森美半导体NTMFS3D6N10MCL单N沟道功率MOSFET专为提供高热性能的紧凑高效设计而设计。该MOSFET具有低漏-源电阻（R DS（on）），以最大程度地减小传导损耗，而低电容则可以最大程度地减小驱动器损耗。

安森美半导体NTMFS3D6N10MCL单N沟道功率MOSFET

NTMFS3D6N10MCL MOSFET采用小尺寸扁平引线封装，尺寸为5mm x 6mm。典型应用包括初级DC-DC MOSFET，DC-DC和AC-DC中的同步整流器，电机驱动器和开关电源。

小尺寸的5mm x 6mm的紧凑型设计

低R DS（on）以最小化传导损耗

低Q G和电容以最大程度减少驱动器损耗

100V漏源电压（V DSS）

R DS（ON）（最大值）：

10V时为3.6mΩ

4.5V时为5.8mΩ

131A I D（最大）

初级DC-DC MOSFET

DC-DC和AC-DC中的同步整流器

马达驱动

开关电源

USB C型设计中的同步整流（SR）MOSFET

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号