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罗姆半导体 二极管

罗姆半导体RSB12 150mW齐纳二极管，超小型模具类型的低电容保护器件

来源：HQBUY 发布时间：2020-10-10

摘要： ROHM RSB12 150mW齐纳二极管是超小型模具类型（EMD3或EMD6）的低电容保护器件。这些器件的齐纳电压范围为9.6V（最小）至14.4V（最大），I Z = 5mA。

罗姆半导体RSB12 150mW齐纳二极管的介绍

罗姆半导体RSB12 150mW齐纳二极管是超小型模具类型（EMD3或EMD6）的低电容保护器件。这些器件的齐纳电压范围为9.6V（最小）至14.4V（最大），I Z = 5mA。这些设备的反向电流为0.10uA，反向电压为9V。这些ROHM RSB12 150mW齐纳二极管是双向的，并使用硅外延平面结构。

ROHM Semiconductor RSB12 150mW齐纳二极管

RSB12 150mW齐纳二极管特征

超小型模具类型（EMD3或EMD6）

低电容

双向的

硅外延平面结构

-55°C至+ 150°C的存储温度

RSB12 150mW齐纳二极管应用领域

静电防护

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