安森美半导体NTMFS015N10MCLT1G单N沟道功率MOSFET的介绍

安森美半导体NTMFS015N10MCLT1G单N沟道功率MOSFET专为要求高热性能的紧凑高效设计而设计。该MOSFET具有低漏-源电阻（R DS（on））以最大程度地减小传导损耗，并提供低栅极电荷（Q G）和电容以最小化驱动器损耗。

NTMFS015N10MCLT1G MOSFET采用5mm x 6mm尺寸的小型DFN5封装。典型应用包括初级DC-DC MOSFET，DC-DC和AC-DC中的同步整流器（SR），电机驱动器以及USB C型中的SR。

NTMFS015N10MCLT1G单N沟道功率MOSFET特征

低R DS（on）以最小化传导损耗：

12.2mΩ@ 10V（最大）

18.3mΩ@ 4.5V（最大）

低Q G和电容以最大程度减少驱动器损耗

100V漏源电压（V DSS）

54A漏极电流（I D）

占地面积小（5mm x 6mm），设计紧凑

DFN5封装

NTMFS015N10MCLT1G单N沟道功率MOSFET应用领域

初级DC-DC MOSFET

DC-DC和AC-DC中的同步整流器（SR）

马达驱动

USB Type-C中的SR

NTMFS015N10MCLT1G单N沟道功率MOSFET效果图