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安森美半导体NTP360N80S3Z SUPERFET III MOSFET的介绍、特性、应用及效果图

来源:HQBUY 发布时间:2020-10-12

摘要: 安森美半导体NTP360N80S3Z的SuperFET III MOSFET是一个高性能的MOSFET的提议800V的击穿电压(V BR(DSS) )。该SUPERFET针对反激式转换器的主开关进行了优化,可在不牺牲EMI性能的情况下降低开关损耗和降低外壳温度。

安森美半导体NTP360N80S3Z SUPERFET III MOSFET的介绍


安森美半导体NTP360N80S3Z的SuperFET III MOSFET是一个高性能的MOSFET的提议800V的击穿电压(V BR(DSS) )。该SUPERFET针对反激式转换器的主开关进行了优化,可在不牺牲EMI性能的情况下降低开关损耗和降低外壳温度。


安森美半导体NTP360N80S3Z SUPERFET III MOSFET


NTP360N80S3Z SUPERFET带有内部齐纳二极管,可大大提高静电放电(ESD)能力。典型的应用包括适配器/充电器,LED照明,AUX电源,音频和工业电源。



NTP360N80S3Z MOSFET特征


针对反激式转换器的主开关进行了优化

降低开关损耗和外壳温度

内部齐纳二极管可提高ESD能力

800V漏源电压(V BR(DSS))

360mΩ最大漏源电阻R DS(on)

典型的25.3nC超低栅极电荷(Q g)

13A漏极电流(I D)

2.72μJ @ 400V,输出电容中的低存储能量(E oss)

经过100%雪崩测试



NTP360N80S3Z MOSFET应用领域


适配器/充电器

LED照明

辅助电源

音讯

工业动力



NTP360N80S3Z MOSFET效果图


NTP360N80S3Z MOSFET效果图

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