摘要: 安森美半导体NVHL050N65S3HF SuperFET III FRFET MOSFET是一种高电压超级结(SJ)MOSFET,利用电荷平衡技术。该技术提供了低导通电阻,较低的栅极充电性能,出色的开关性能,最小化了传导损耗,并能承受极高的dv / dt速率。
安森美半导体NVHL050N65S3HF SuperFET III FRFET MOSFET是一种高电压超级结(SJ)MOSFET,利用电荷平衡技术。该技术提供了低导通电阻,较低的栅极充电性能,出色的开关性能,最小化了传导损耗,并能承受极高的dv / dt速率。
NVHL050N65S3HF MOSFET具有优化的体二极管反向恢复性能,可以去除额外的元件并提高系统可靠性。典型应用包括用于混合电动汽车(HEV)-EV的汽车车载充电器和用于HEV-EV的汽车DC / DC转换器。
高压SJ MOSFET
同类最佳的体二极管
降低反向恢复期间的过冲
低开关噪声
高系统可靠性
最小化传导损耗
出色的开关性能
承受极限dv / dt率
119nC典型的超低栅极电荷(Q g)
较低功绩指标(FOM)
650V漏源电压(V DSS)
50mΩ最大漏源电阻(R DS(on))
58A最大漏极电流(I D)
1051pF典型的低有效输出电容(C OSS(eff))
经过100%雪崩测试
符合AEC-Q101和PPAP标准
混合动力汽车车载充电器
HEV-EV的汽车DC / DC转换器
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