安森美半导体NTTFS1D8N02P1E N沟道功率MOSFET的介绍

安森美半导体NTTFS1D8N02P1E N沟道功率MOSFET具有紧凑的设计和良好的热性能。该MOSFET提供低的漏极-源极电阻（R DS（ON） ），以尽量减少传导损耗和低Q ?和电容以最小化驱动器损耗。NTTFS1D8N02P1E MOSFET提供25V的漏源电压（V （BR）DSS）和150A的最大漏电流（I D）。典型应用包括DC-DC转换器，电源负载开关，笔记本电池管理，电机控制，二次整流，电池管理和负载点（POL）。

NTTFS1D8N02P1E N沟道功率MOSFET特征

采用先进的3.3mm x 3.3mm功率封装技术，占用空间小

低R DS（on）以最小化传导损耗：

10V时为1.3mΩ

4.5V时为1.8mΩ

低Q G和电容以最大程度减少驱动器损耗

25V V （BR）DSS

150A最大I d

NTTFS1D8N02P1E N沟道功率MOSFET应用领域

DC-DC转换器

电力负荷开关

笔记本电池管理

电机控制

二次整流

电池管理

负载点（POL）

NTTFS1D8N02P1E N沟道功率MOSFET效果图