安森美半导体NVBG080N120SC1 1200V SiC MOSFET的介绍、特性及应用领域

来源：HQBUY 发布时间：2020-10-15

摘要： 安森美半导体的NVBG080N120SC1 1200V SiC MOSFET使用了一种全新的技术，与硅相比，它具有出众的开关性能和更高的可靠性。该MOSFET具有低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和栅极电荷。

安森美半导体的NVBG080N120SC1 1200V SiC MOSFET使用了一种全新的技术，与硅相比，它具有出众的开关性能和更高的可靠性。该MOSFET具有低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和栅极电荷。

安森美半导体NVBG080N120SC1 1200V SiC MOSFET

NVBG080N120SC1 MOSFET具有高效率，快速的工作频率，增加的功率密度，减小的电磁干扰（EMI）和减小的系统尺寸。典型应用包括用于EV / HEV的汽车车载充电器和汽车DC / DC转换器。

与硅相比，具有出众的开关性能和更高的可靠性

典型R DS（on）为80mΩ

1200V漏源电阻（V （BR）DSS）

30A最大漏极电流（I D）

56nC超低栅极电荷（Q G（tot））

79pF低有效输出电容（典型值）（C OSS）

符合AEC-Q101的汽车应用要求

经过100％雪崩测试

汽车车载充电器

电动汽车（EV）/混合电动汽车（HEV）的汽车DC / DC转换器

逆变器

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