安森美半导体NTHL080N120SC1A N沟道SiC MOSFET的介绍

与硅相比，安森美半导体NTHL080N120SC1A N沟道MOSFET具有出色的开关性能和更高的可靠性。该MOSFET具有低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和栅极电荷。NTHL080N120SC1A MOSFET具有高效率，快速的工作频率，更高的功率密度，更低的EMI和更小的系统尺寸。典型的应用包括UPS，DC / DC转换器，升压型逆变器，功率因数校正（PFC），光伏（PV）充电，太阳能逆变器，服务器电源和网络电源。

NTHL080N120SC1A N沟道SiC MOSFET特征

高速开关和低电容

典型的56nC超低栅极电荷（Q G（tot））

典型的80pF低有效输出电容（C OSS）

经过100％非钳位电感开关（UIL）测试

1200V额定漏源电压（V DSS）

最大漏极-源极电阻为20V时为110mΩ（R DS（on））

31A最大漏极电流（I D）

NTHL080N120SC1A N沟道SiC MOSFET应用领域

UPS

DC / DC转换器

升压逆变器

全氟化合物

光伏充电

太阳能逆变器

网络电源

服务器电源

NTHL080N120SC1A N沟道SiC MOSFET效果图