安森美半导体NTDS015N15MC屏蔽栅极PowerTrench MOSFET的介绍

安森美半导体NTDS015N15MC屏蔽栅的PowerTrench MOSFET是被设计以减少导通状态电阻，并保持良好的开关性能的N沟道MOSFET。该MOSFET具有150V的漏-源电压（V DSS），15mΩ的最大漏-源电阻（RDS（on））（在10V时）和50A的漏电流（I D）。

NTDS015N15MC MOSFET具有低电容，可最大程度地降低驱动器损耗，而优化的栅极电荷可将开关损耗降至最低。典型应用包括电源和电机控制次级中的同步整流器。

NTDS015N15MC MOSFET特征

屏蔽栅极MOSFET技术

在V GS = 10V和I D = 29A时，最大R DS（on）为15mΩ

150V V DSS

50A I D

低R DS（on）以最小化传导损耗

低电容可最大程度地减少驱动器损耗

优化的栅极电荷以最大程度地降低开关损耗

NTDS015N15MC MOSFET应用领域

电源次级中的同步整流器

电机控制

48V隔离总线的初级侧

NTDS015N15MC MOSFET效果图