安森美半导体NTD360N80S3Z SUPERFET III MOSFET的介绍

安森美半导体NTD360N80S3Z SuperFET III MOSFET用于回扫转换器，使更低的开关损耗和外壳温度的初级开关优化。该MOSFET内置一个齐纳二极管，可改善ESD能力。

NTD360N80S3Z MOSFET具有800V的漏-源电压（V DSS），360mΩ的最大漏-源电阻R DS（on）和13A的最大漏电流（I D）。典型应用包括适配器/充电器，LED照明，AUX电源，音频和工业电源。

NTD360N80S3Z SUPERFET III MOSFET特征

低开关损耗

高效率

良好的EMI性能

内部齐纳二极管改善了ESD能力

最大Rm360mΩ （on）

800V V DSS

13mA I D

典型的25.3nC超低栅极电荷（Q g）

2.72μJ在400V时输出电容中的低存储能量（E oss）

NTD360N80S3Z SUPERFET III MOSFET应用领域

适配器/充电器

LED照明

辅助电源

音讯

工业动力

NTD360N80S3Z SUPERFET III MOSFET效果图