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NTBS9D0N10MC单N沟道MOSFET,可最大程度地降低传导损耗

来源:HQBUY 发布时间:2020-10-15

摘要: 安森美半导体NTBS9D0N10MC单N沟道MOSFET具有低漏源导通电阻R DS(ON),可最大程度地降低传导损耗。该MOSFET提供了较低的总栅极电荷(Q G)和电容,从而使驱动器损耗降至最低。

安森美半导体NTBS9D0N10MC单N沟道MOSFET的介绍


安森美半导体NTBS9D0N10MC单N沟道MOSFET具有低漏源导通电阻R DS(ON),可最大程度地降低传导损耗。该MOSFET提供了较低的总栅极电荷(Q G)和电容,从而使驱动器损耗降至最低。


安森美半导体NTBS9D0N10MC单N沟道MOSFET


NTBS9D0N10MC MOSFET降低了开关噪声/电磁干扰(EMI)。该MOSFET具有100V的漏源电压(V DSS)和60A的最大连续漏电流(I D)。典型的应用包括电动工具,电池供电的真空吸尘器,无人机(UAV)/无人机,物料搬运,电池管理系统(BMS)/存储和家庭自动化。



NTBS9D0N10MC单N沟道MOSFET特征


低R DS(on)以最小化传导损耗:

9mΩ(最大值)R DS(ON) ,在10V

优化的开关性能

低Q G和电容以最大程度减少驱动器损耗

降低开关噪声/ EMI

60A I D(最大)

100V V DSS



NTBS9D0N10MC单N沟道MOSFET应用领域


电动工具

电池吸尘器

无人机/无人机

物料搬运

BMS /存储

家庭自动化



NTBS9D0N10MC单N沟道MOSFET效果图


NTBS9D0N10MC单N沟道MOSFET效果图

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