摘要: 意法半导体STGWA20IH65DF 650V 20A软开关IGBT(绝缘栅双极晶体管)具有专有的沟槽栅场截止结构,并针对软交换实现了导通和开关损耗方面的优化。包括具有低正向压降的续流二极管。结果是专门设计用于最大程度提高谐振和软开关应用效率的设备。
意法半导体STGWA20IH65DF 650V 20A软开关IGBT(绝缘栅双极晶体管)具有专有的沟槽栅场截止结构,并针对软交换实现了导通和开关损耗方面的优化。包括具有低正向压降的续流二极管。结果是专门设计用于最大程度提高谐振和软开关应用效率的设备。
STMicroelectronics STGWA20IH65DF IGBT采用TO-247-3长引脚封装。
专为软换向而设计
650V集电极-发射极电压
T C = 100°C时20A连续集电极电流
I C = 20A时V CE(sat) = 1.55V(典型值)
尾电流最小
紧密的参数分布
低热阻
低压降续流共封装二极管
正V CE(sat)温度系数
T C = 25°C时总功耗159W
-55°C至+ 175°C的工作结温范围
TO-247-3长引线封装
感应加热
谐振转换器
微波炉
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