东芝XPN12006NC汽车U-MOSVIII-H MOSFET的介绍、特性、应用、内部电路及引脚图

来源：HQBUY 发布时间：2020-11-03

摘要： 东芝XPN12006NC汽车U-MOSVIII-H MOSFET采用紧凑的薄型TSON封装，符合AEC-Q101要求。XPN12006NC具有低漏源导通电阻，低泄漏电流和增强模式。

东芝XPN12006NC汽车U-MOSVIII-H MOSFET采用紧凑的薄型TSON封装，符合AEC-Q101要求。XPN12006NC具有低漏源导通电阻，低泄漏电流和增强模式。

东芝XPN12006NC汽车U-MOSVIII-H MOSFET

东芝XPN12006NC U-MOSVIII-H功率MOSFET非常适合开关稳压器，DC-DC转换器，电机驱动器和汽车应用。

符合AEC-Q101

小而薄的包装

汽车行业

开关稳压器

DC-DC转换器

马达驱动器

R DS（ON） =9.8mΩ（典型值）（V GS = 10V）低漏源导通电阻

I DSS = 10μA（最大值）（V DS = 60V）低漏电流

V th = 1.5至2.5V（V DS = 10V，I D = 0.2mA）增强模式

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