摘要: Alliance Memory AS4C DDR4同步DRAM(SDRAM)是内部配置为16个存储区的高速动态随机存取存储器。DDR4 SDRAM使用8n预取架构来实现高速操作。这种8n预取架构与旨在在每个I / O引脚的每个时钟周期传输两个数据字的接口相结合。
Alliance Memory AS4C DDR4同步DRAM(SDRAM)是内部配置为16个存储区的高速动态随机存取存储器。DDR4 SDRAM使用8n预取架构来实现高速操作。这种8n预取架构与旨在在每个I / O引脚的每个时钟周期传输两个数据字的接口相结合。
这些AS4C DDR4 SDRAM提供写入和读取均衡以及自刷新模式。SDRAM具有1.2V伪漏极开路接口,数据选通脉冲前导训练,最大程度的省电和命令/地址延迟(CAL)。这些器件的工作温度范围为0°C至95°C商业温度范围,而工作温度范围为-40°C至95°C。
1.2V伪漏极开路接口
8n预取架构
内部VREFDQ培训
可编程数据选通脉冲前导
数据选通前导训练
命令/地址延迟(CAL)
多用途寄存器的读取和写入功能
读写平衡
自动刷新和自刷新模式
低功耗自动刷新(LPASR)
DRAM内置TS自动自我刷新(ASR)
细粒度刷新
自刷新中止
最大程度的省电
输出驱动器校准
可配置的管芯端接(ODT)
数据总线的数据总线反转(DBI)
命令/地址(CA)奇偶校验
数据总线写循环冗余校验(CRC)
每个DRAM的寻址能力
连通性测试(x16)
8G比特密度
组织:
64M字x 16位x 8个存储区(AS4C512M16D4)
包:
x8的78球FBGA / x16的96球FBGA
无铅(符合RoHS)和无卤素
电源:
V DD,V DDQ = 1.2V±60mV
V PP = 2.5V和-125mV / 250mV
2133Mbps / 2400Mbps / 2666Mbps数据速率
X8的页面大小为1KB / X16的页面大小为2KB
刷新周期(平均刷新周期):
-40°C≤Tc≤85°C时为7.8μs
在85°C <Tc≤95°C时为3.9μs
工作箱温度范围:
商业温度= 0°C至95°C
工业温度= -40°C至95°C
社群二维码
关注“华强商城“微信公众号
Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线:400-830-6691 粤ICP备05106676号 经营许可证:粤B2-20210308