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Alliance Memory AS4C DDR4同步DRAM的介绍、特性、及技术指标

来源:HQBUY 发布时间:2020-11-06

摘要: Alliance Memory AS4C DDR4同步DRAM(SDRAM)是内部配置为16个存储区的高速动态随机存取存储器。DDR4 SDRAM使用8n预取架构来实现高速操作。这种8n预取架构与旨在在每个I / O引脚的每个时钟周期传输两个数据字的接口相结合。

Alliance Memory AS4C DDR4同步DRAM的介绍


Alliance Memory AS4C DDR4同步DRAM(SDRAM)是内部配置为16个存储区的高速动态随机存取存储器。DDR4 SDRAM使用8n预取架构来实现高速操作。这种8n预取架构与旨在在每个I / O引脚的每个时钟周期传输两个数据字的接口相结合。


Alliance Memory AS4C DDR4同步DRAM


这些AS4C DDR4 SDRAM提供写入和读取均衡以及自刷新模式。SDRAM具有1.2V伪漏极开路接口,数据选通脉冲前导训练,最大程度的省电和命令/地址延迟(CAL)。这些器件的工作温度范围为0°C至95°C商业温度范围,而工作温度范围为-40°C至95°C。



AS4C DDR4同步DRAM特征


1.2V伪漏极开路接口

8n预取架构

内部VREFDQ培训

可编程数据选通脉冲前导

数据选通前导训练

命令/地址延迟(CAL)

多用途寄存器的读取和写入功能

读写平衡

自动刷新和自刷新模式

低功耗自动刷新(LPASR)

DRAM内置TS自动自我刷新(ASR)

细粒度刷新

自刷新中止

最大程度的省电

输出驱动器校准

可配置的管芯端接(ODT)

数据总线的数据总线反转(DBI)

命令/地址(CA)奇偶校验

数据总线写循环冗余校验(CRC)

每个DRAM的寻址能力

连通性测试(x16)



AS4C DDR4同步DRAM技术指标


8G比特密度

组织:

64M字x 16位x 8个存储区(AS4C512M16D4)

包:

x8的78球FBGA / x16的96球FBGA

无铅(符合RoHS)和无卤素

电源:

V DD,V DDQ = 1.2V±60mV

V PP = 2.5V和-125mV / 250mV

2133Mbps / 2400Mbps / 2666Mbps数据速率

X8的页面大小为1KB / X16的页面大小为2KB

刷新周期(平均刷新周期):

-40°C≤Tc≤85°C时为7.8μs

在85°C <Tc≤95°C时为3.9μs

工作箱温度范围:

商业温度= 0°C至95°C

工业温度= -40°C至95°C


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