Qorvo QPD0007 GaN射频晶体管的介绍、特性及应用领域

来源：HQBUY 发布时间：2020-12-08

摘要： Qorvo QPD0007 GaN RF晶体管是采用DFN封装的SiC高电子迁移率晶体管（HEMT）上的单路离散GaN。这些RF晶体管是单级，无与伦比的晶体管，能够在+ 48V工作时提供20W的P 3dB输出功率。

Qorvo QPD0007 GaN RF晶体管是采用DFN封装的SiC高电子迁移率晶体管（HEMT）上的单路离散GaN。这些RF晶体管是单级，无与伦比的晶体管，能够在+ 48V工作时提供20W的P 3dB输出功率。

Qorvo QPD0007 GaN射频晶体管

QPD0007晶体管在DC至5GHz的频率范围内工作，在3.5GHz时提供73％的漏极效率。典型应用包括WCDMA / LTE，宏蜂窝基站，微蜂窝基站，通用，小型蜂窝，有源天线和5G大规模MIMO。

直流至5GHz工作频率范围

48V工作漏极电压

在3.6GHz时最大输出功率为20W（P 3dB）

在3.5GHz时最大漏极效率为73％

在3.5GHz时效率可调的19dB后退增益

4.5mm x 4.0mm DFN封装

WCDMA / LTE

宏蜂窝基站

微蜂窝基站

小细胞

有源天线

5G大规模MIMO

通用应用

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