东芝TK110N65Z DTMOSVI功率MOSFET的介绍、特性、及电路原理

来源：HQBUY 发布时间：2020-12-23

摘要： 东芝TK110N65Z DTMOSVI功率MOSFET具有低漏源导通电阻R DS（ON） =0.092Ω（典型值）。MOSFET具有高速开关特性具有较低的电容，并且V的增强型第= 3到4V（V DS = 10 V，I d =1.02毫安）。

东芝TK110N65Z DTMOSVI功率MOSFET具有低漏源导通电阻R DS（ON） =0.092Ω（典型值）。MOSFET具有高速开关特性具有较低的电容，并且V的增强型第= 3到4V（V DS = 10 V，I d =1.02毫安）。它们是开关电源应用的理想选择。

东芝TK110N65Z DTMOSVI功率MOSFET的介绍

低漏源导通电阻：RDS（ON）=0.092Ω（典型值）

较低电容的高速开关特性

增强模式：V th = 3至4V（V DS = 10V，I D = 1.02mA）

应用，开关电源

TK110N65Z 封装与内部电路

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