IXYS栅极驱动评估平台(GDEV)评估SiC功率mosfet和二极管在额定电压和额定电流下的连续工作。该模块在定义明确和优化的测试条件下比较不同的栅极驱动器解决方案的性能。IXYS GDEV提供了一组定义良好的测试条件和快速连接功能，以评...

q3级HiPerFET功率mosfet提供了广泛的电源开关解决方案

意法半导体STL12N10F7采用STripFET F7技术，增强沟槽栅极结构，从而实现非常低的导通电阻

在半导体上的NTMFS5C4xx和NVMFS5C4xx 40 V功率mosfet提供低输入电容最小化开关损耗

提供高达900V的高电压范围和低电阻，并增加ESD保护。

DS3988、DS3991、DS3992以及DS3994是冷阴极荧光灯管(CCFL)的控制器，用于液晶显示LCD的背光。每个控制器通道可以驱动两个逻辑电平MOSFET以转换直流电压到CCFL驱动所需要的高压交流波形。在有些应用中，功率MOSFET需要更大的驱动能力和更高的栅源电压，用单个通道驱动多个灯管。该应用笔记描述了如何增强DS39xx系列控制器的驱动能力，使其可以有效的驱动大功率MOSFET。

ROHM P02SCT3040KR-EVK-001半桥评估板，用于评估SCT3040KR, 1200V 55A n通道SiC功率MOSFET。评估板是基于最常见的半桥电路配置。为了在准备简单的情况下获得合适的评估条件，本板配有驱动电路和驱动...

Vishay的60v MOSFET提高了PowerPAK 1212-8S包的效率和功率密度

安森美半导体的nbls0d7n06c n通道功率MOSFET具有低R特性 (DS(on))，电容和Q (G)尽量减少传导损耗和驱动器损耗。该功率MOSFET降低开关噪声，工作在60V ((BR)DSS)和470A I (D(max))和0.7...

碳化硅(SiC) mosfet 650V, 18毫欧典型，119A在HiP247和HiP247-4封装。

日前，VishayIntertechnology, Inc.宣布，推出采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT封装的CSP规格尺寸，具有业内最低导通电阻的新款12V和...

台积电TQMx汽车功率MOSFET采用沟槽技术设计，采用5mm 2 x6mm 2封装，可用于单通道和双通道。这些PDFN56U和PDFN56U双通道与常规PDFN软件包兼容。

东芝TK110N65Z DTMOSVI功率MOSFET具有低漏源导通电阻R DS（ON） =0.092Ω（典型值）。MOSFET具有高速开关特性具有较低的电容，并且V的增强型第= 3到4V（V DS = 10 V，I d =1.02毫安）。