摘要: 在半导体上的NTMFS5C4xx和NVMFS5C4xx 40 V功率mosfet提供低输入电容最小化开关损耗
ON Semiconductor公司的NTMFS5C4xx和NVMFS5C4xx 40 V功率mosfet能够提供极低的导态电阻R(DS(ON)),值,从而最大限度地减少导通损耗,提高整体运行效率水平。它们的栅极电容(Ciss)也很低,低至2164皮法拉(pF),这确保了驱动器损耗尽可能低。该设备额定的结温可达175℃,因此为工程师的设计提供了更大的热顶空间。
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