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摘要： 碳化硅(SiC) mosfet 650V, 18毫欧典型，119A在HiP247和HiP247-4封装。
STMicroelectronics SCTWA90N65G2Vx 650V功率mosfet是碳化硅(SiC) mosfet 18毫欧典型和119A额定值。这些功率mosfet采用HiP247和HiP247-4封装。SCTWA90N65G2Vx 650V功率mosfet具有极低的栅极电荷和输入电容，高速开关性能，以及提高效率的源传感引脚。这些MOSFET采用ST公司先进和创新的2(nd)代SiC MOSFET技术开发。应用包括可再生能源系统的电源供应，高频DC/DC转换器，充电站，开关模式电源，DC/DC转换器，和工业电机控制。
高速开关性能
极高的工作结温能力(T(J) = 200°C)
非常快速和强大的本征体二极管
极低的栅电荷和输入电容
可再生能源系统的电力供应
高频DC/DC转换器
充电站
工业电机控制
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