Micron DDR4 (Double Data Rate 4) SDRAM是一种高速动态随机存取存储器，内部配置为x16配置的8银行DRAM，以及x4和x8配置的16银行DRAM。这些高密度的设备使系统设计师能够在相同数量的位置上利用更多可用的内存，这有助于增加带宽或支持系统的功能集。DDR4内存还可以使设计师在保持相同密度的同时减少放置，这有助于降低成本。

Micron DDR4 SDRAM内存经过严格的测试，可满足工业和汽车应用的极端温度和性能需求。

特性

• 优化的成本/性能/容量和数据速率高达3200Mb/s

• 通过DDR3增加50%的带宽

• 低1.2V电压损耗(核心和I/O)降低内存功耗

• 省电功能可以减少总总电力需求35%以上的DDR3

• 连通性测试模式可以在系统测试过程中及早发现故障，减少调试时间，节省开发和生产成本

• 中心连接垫具有最高的性能和最低的成本

• 提高数据信号完整性和系统可靠性;ODT、DBI、命令/地址奇偶校验和CRC校验

• 支持高达16Gb的单模密度

• Multi-rank包支持

• 更高容量的存储子系统，可达4个模具堆叠

• 可在FBGA-78和FBGA-98包装

• 工作温度的选择

• 0°C + 95°C

• -40°C + 95°C

• -40°C + 105°C

• -40°C + 125°C

应用程序

• 云服务器和数据中心

• 汽车

• 互动健康指导和个性化健康监测

• 工业物联网和工业4.0

• 游戏电脑

• Edge和视频监控服务器

数据表

• MT40A1G16 DDR4更快

• MT40A1G4、MT40A512M8、MT40A256M16 DDR4 SDRAM

• MT40A1G8和MT40A512M16汽车DDR4 SDRAM

• MT40A2G4、MT40A1G8、MT40A512M16 DDR4 SDRAM

• MT40A4G4、MT40A2G8、MT40A1G1 DDR4 SDRAM

• MT40A512M8和MT40A256M16汽车DDR4 SDRAM

• MT40A8G4,MT40A4G8 DDR4更快

技术注释

• 计算DDR4 SDRAM的内存功耗

• DDR4单板配电网络阻抗指标

• DDR4点对点设计指南

• DDR4在网络子系统中的应用

DDR4与DDR3的比较