摘要: ROHM P02SCT3040KR-EVK-001半桥评估板,用于评估SCT3040KR, 1200V 55A n通道SiC功率MOSFET。评估板是基于最常见的半桥电路配置。为了在准备简单的情况下获得合适的评估条件,本板配有驱动电路和驱动...
ROHM P02SCT3040KR-EVK-001半桥评估板,用于评估SCT3040KR, 1200V 55A n通道SiC功率MOSFET。评估板是基于最常见的半桥电路配置。为了在准备简单的情况下获得合适的评估条件,本板配有驱动电路和驱动电路的隔离电源。该板还包括过流保护电路、门信号保护电路等。
用于评估ROHM的SCT3040KR (1200V/40毫欧/TO-247-4L)
通过简单地改变电路倍增器,可以评估其他罗姆SiC mosfet
除了to -247- 4l包,还有to -247- 3l通孔,可以在同一块板上进行比较评估
单路供电(+12V运行)
通过可变电阻(+12V到+23V)可调的门驱动内置隔离电源
支持高达150A的双脉冲测试和高达500kHz的切换
兼容多种电源拓扑(降压/升压/半桥)
跳线引脚可以在栅驱动的负偏置/零偏置之间进行切换
包括过流保护(DESAT, OCP)以及防止同时上和下手臂的功能
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