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摘要： 意法半导体STL12N10F7采用STripFET F7技术，增强沟槽栅极结构，从而实现非常低的导通电阻
意法半导体的STL12N10F7 n沟道100 V, 11.3欧姆典型,12的功率MOSFET PowerFLAT 3.3 x 3.3包利用STripFET F7技术与一个增强沟门结构,导致非常低的开态电阻,同时减少内部电容和门收费更快和更高效的切换。
特性
在市场上最低的R(DS(ON))之一
优秀FoM (merit figure)
EMI抗扰度低C(rss)/C(iss)比率
雪崩强度高
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