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在TO-220AB封装中提供第四代E系列技术。
提供低值和低有效电容。
提供最佳的效率和操作与快速开关,低FOM,和一个简单的门电路。
为系统电源DC/DC应用提供了一种优化的PWM设计。
提供了一种改进的门,具有雪崩和动态dV/dt坚固性。
具有低价值值,低有效电容,降低开关和导通损耗。
Vishay/Siliconix提供SIRA20DP 25 V, 0.58米欧姆n沟道MOSFET提供最低最高RDS(上)
采用第四代E系列技术,降低开关损耗和导通损耗。
Vishay的MOSFET可以节省空间,提高汽车开关电源的效率
采用TrenchFET Gen IV功率MOSFET技术,具有非常低的RDS Qg FOM。
Vishay的MOSFET在PowerPAK 1212 8S封装中提供的RDS(ON)降至0.95 毫欧和改进的FOM为29.8 毫欧*nC
采用TrenchFET Gen IV功率MOSFET技术在PowerPAK 1212-8单封装。
PowerPAK 1212-8单包提供,并实现TrenchFET Gen IV技术。
TrenchFET Gen IV功率MOSFET具有100%的Rg和UIS测试。
Vishay Siliconix的650 V EF系列可为软开关增加电压顶空,应用于工业,电信和可再生能源应用
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