Vishay的通用SiSS52DN 30v n通道沟槽场效应晶体管 为隔离和非隔离拓扑提供了更高的功率密度和效率，为使用这两种拓扑的设计人员简化了部件选择。在3.3 mm × 3.3 mm的热增强PowerPAK 1212-8S封装中，它具有10v下0.95 毫欧的最佳导通电阻，比上一代产品提高了5%。此外，该MOSFET提供了1.5 毫欧在4.5 V，而其29.8 毫欧*nC的导通电阻倍栅电荷在4.5 V(一个关键数字的优点(FOM)用于开关应用的MOSFET)是非常低的。与上一代器件相比，SiSS52DN的FOM提高了29%，降低了导通和开关损耗，从而在功率转换应用中节约能源。

特性

• 最佳在线电阻:0.95 毫欧在10 V

• 非常低的FOM: 29.8 毫欧*nC

• 提供了一个3.3 mm × 3.3 mm的热增强PowerPAK 1212-8S包

• 100% R(G)和ui测试，符合rohs，无卤素

应用程序

• 服务器、电信和射频设备的电源

• 下部切换

• 同步整流

• 同步降压转换器

• 直流/直流转换器

• 开关箱拓扑

• 或环型场效应晶体管

• 负荷开关