Vishay / Siliconix si186ldp N-Channel 60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET 第四代功率MOSFET技术。SiR186LDP mosfet具有非常低的R(DS) Q(g)值优点(FOM)，并调谐为最低的R(DS) Q(oss) FOM。Vishay / Siliconix si186ldp N-Channel 60V (D-S) mosfet是同步整流，初级侧开关，DC/DC变换器和电机驱动开关应用的理想器件。

特性

• TrenchFET 第四代功率MOSFET

• 非常低的R(DS) - Q(g)值(FOM)

• 调整了最低的R(DS) - Q(oss) FOM

• 100% R(g)和UIS测试

应用程序

• 同步整流

• 一次侧开关

• 直流/直流转换器

• 马达驱动开关

线路图