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Vishay Siliconix的650 V EF系列可为软开关增加电压顶空,应用于工业,电信和可再生能源应用
TrenchFET Gen IV功率MOSFET具有非常低的RDS x Qg优点数字(FOM)。
TrenchFET Gen IV功率MOSFET具有100%的Rg和UIS测试。
PowerPAK 8 x 8封装提供第四代E系列技术。
以非常低的RDS x Qg优点数字(FOM)提高功率转换效率。
TSOP-6单封装提供-55°C至150°C的工作结温度范围。
AEC-Q101合格的第四代沟槽场效应晶体管功率MOSFET。
优化Qgs/Qgs比,提高开关特性。
PowerPAIR 6x5F封装中集成肖特基的SkyFET 低侧MOSFET。
在TO-220 FULLPAK封装中采用第四代E系列技术。
Vishay / Siliconix SiC46x microBUCK评估板设计用于评估2A、4A和10A同步buck稳压器的特性和功能。SiC46x板的结构提供了超快的瞬态响应,最小的输出电容和紧纹波调节在非常轻的负载。这些microBU...
Vishay的60v MOSFET提高了PowerPAK 1212-8S包的效率和功率密度
aec - q101合格的快速体二极管MOSFET与降低的trr, Qrr,和IRRM,和超低的FOM。
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