Vishay / Siliconix TrenchFET Gen V功率mosfet通过极低的R(DS) x Q(g) merit -of-merit (FOM)来提高功率转换效率。V型功率mosfet具有80V、100V和150V漏源击穿电压选项。V型功率mosfet可采用PowerPAK 1212-8SH或PowerPAK SO-8单包。

特性

• 第V代壕沟场效应晶体管功率MOSFET

• 通过提高功率转换拓扑和开关电路的效率来节省能源

• 优化后可用于多种拓扑

• 极低R(DS) x Q(g)优点值(FOM)

• 100% R(g)和UIS测试

应用程序

• 同步整流

• 一次侧开关

• 直流/直流转换器

• OR-ing和热插拔开关

• 电力供应

• 电机驱动控制

• 电池管理

信息图表

概述