摘要: 优化Qgs/Qgs比,提高开关特性。
Vishay / Siliconix SiZ254DT双n通道70V (D-S) mosfet是沟槽场效应管 第四代功率mosfet。SiZ254DT 70V MOSFET具有集成的MOSFET半桥功率级,具有优化的Q(gs)/Q(gs)比,提高了开关特性。Vishay / Siliconix SiZ254DT双mosfet是POL,同步降压变换器,电信DC/DC,谐振变换器和电机驱动控制应用的理想选择。
沟槽场效应管第四代功率场效应管
100% R(g)和UIS测试
集成MOSFET半桥式功率级
优化的Q(gs)/Q(gs)比提高了开关特性
波尔
同步降压转换器
电信直流/直流
谐振转换器
电机驱动控制
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