Vishay Siliconix的650 V EF系列快速体二极管mosfet提供了Vishay的标准E系列组件的完整补充，提供了比标准mosfet低10倍的Qrr和更高的可靠性，同时提供了650 V选项，提供额外的电压净空。这为600 V和650 V的超级结家族提供了完整的E系列和EF系列选项，并将Vishay Siliconix产品扩展到可用于ZVS /软开关拓扑的器件，如移相桥和LLC转换器半桥。该器件的低Qrr允许它们更快地重新获得阻止全部击穿电压的能力，有助于避免击穿和热过应力导致的故障。其超低导通电阻和栅极电荷转化为极低的传导和开关损耗，在大功率、高性能开关模式应用中节省能源。

电路拓扑结构

• 专为软开关或零电压开关拓扑设计，例如:

• SPhase-shifted桥梁

• 三级逆变器

• LLC转换器

• 也可用于“硬开关”拓扑体二极管MOSFET只工作在第一象限(永不开):

• SPhase-shifted桥梁

• 三级逆变器

• LLC转换器

特性和好处

• 漏源极电压650v

• 低反向恢复电荷(Qrr)提高了零电压开关/软开关拓扑结构的可靠性

• 提供thin-lead TO-220 FullPAK, D2PAK (TO-263)， TO-247AC, TO-220AB，和PowerPAK 8 x 8包

• 超低导通电阻和栅极电荷降低导通和开关损耗

• 通过100% ui测试，在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲

• 通过无铅认证和无卤

应用程序

• 太阳能逆变器

• 服务器和电信电源系统

• ATX /银盒PC

• smp

• 焊接设备

• 联合包裹

• 电池充电器

• 外部电动汽车充电站

• 领导

• 高强度放电(HID)

• 荧光灯镇流器照明