Vishay / Siliconix公司的SISH892BDN N-Channel 100V MOSFET是一个沟槽型场效应管 第四代功率MOSFET具有100% R(g)和UIS测试。SISH892BDN MOSFET提供100V V(DS)， 20A I(D)和8nC Q(g)。Vishay / Siliconix SISH892BDN MOSFET采用PowerPAK 1212-8SH封装，具有工作结和存储温度范围为-55°C至+150°C。

SISH892BDN n通道100V MOSFET是高功率密度DC/DC，同步整流和LED照明应用的理想器件。

特性

• TrenchFET 第四代功率MOSFET

• 100% R(g)和UIS测试

应用程序

• 高功率密度DC/DC

• 同步整流

• LED照明

尺寸及引脚