Vishay / Siliconix SQW61N65EF汽车E系列功率MOSFET是一个单n通道快速体二极管MOSFET与汽车级E系列技术。SQW61N65EF具有减少反向恢复时间，反向恢复充电和反向恢复电流。该器件还拥有一个229nC栅电荷和0.045欧姆漏源极通态电阻，从而实现了一个极低的功值(FOM)。通过aec - q101认证的SQW61N65EF提供宽-55°C至+175°C的工作温度范围，使其成为汽车应用的理想选择。

Vishay / Siliconix SQW61N65EF汽车E系列功率MOSFET采用3导联TO-247AD封装，符合RoHS标准，不含卤素。

特性

• AEC-Q101合格

• 快速体二极管MOSFET采用汽车级E系列技术

• 700V漏源极极漏极电压(V(DS))

• 650V漏源极电压(V(DS))在25°C

• ±30V栅源电压(V(GS))

• 0.045欧姆漏源极通态电阻(R(DS(on))

• 229nC栅电荷(Q(g))

• 低数值(FOM) (R(DS(on))) x Q(g)

• 204ns减少反向恢复时间(t(rr))

• 反向恢复充电(Q(rr))

• 18A反向恢复电流(I(RRM))

• 低7379pF输入电容(C(iss))

• 降低反向恢复电荷，降低开关损耗

• 625W最大功耗(P(D))

• 雪崩额定能量(UIS)

• -55°C至+175°C工作结和存储温度范围(T(J)， T(stg))

• 3-lead - 247广告包

• 无卤素，无铅，符合RoHS

应用程序

• 汽车车载充电器

• 汽车直流-直流转换器

内部电路,典型的输出

开关时间测试电路

栅电荷测试电路

规格尺寸