Vishay/Siliconix的60 V TrenchFET Gen IV n-channel功率MOSFET是业界首款针对标准栅极驱动进行优化的MOSFET，在3.3 mm由3.3 mm PowerPAK 1212-8S封装的热增强中，在10 V时提供最大导通电阻降至4 毫欧。Vishay Siliconix SiSS22DN设计用于提高开关拓扑的效率和功率密度，其特点是低Q(OSS)和22.5 nC的门电荷。

特性

• 10 V时最大导通电阻低至4 毫欧，使传导损耗最小

• 34.2 nC的低Q(OSS)和22.5 nC的栅极电荷降低了开关的功率损耗

• 提供3.3毫米的3.3毫米PowerPAK 1212-8S封装

• 100% RG和ui测试，符合rohs，无卤素

应用程序

• AC/DC和DC/DC拓扑中的同步整流

• DC/DC转换器的初级侧开关，buck-boost转换器的半桥MOSFET功率级，电信和服务器电源的OR-ing功能

• 电动工具和工业设备中的电机驱动控制和电路保护

• 电池管理模块中的电池保护和充电