摘要: 采用TrenchFET Gen IV功率MOSFET技术在PowerPAK 1212-8单封装。
Vishay / Siliconix公司的SiS176LDN N-Channel 70V (D-S) MOSFET采用TrenchFET 第四代功率MOSFET技术。SiS176LDN mosfet具有非常低的R(DS) Q(g)值优点(FOM),并调谐到最低的R(DS) Q(oss) FOM。Vishay / Siliconix的SiS176LDN N-Channel 70V (D-S) mosfet是理想的同步整流,初级侧开关,DC/DC变换器,和电机驱动开关应用。
TrenchFET 第四代功率MOSFET
非常低的R(DS) - Q(g)值(FOM)
调整了最低的R(DS) - Q(oss) FOM
100% R(g)和UIS测试
同步整流
一次侧开关
直流/直流转换器
马达驱动开关
负荷开关
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