Vishay/Siliconix的SiRA20DP n通道25 V MOSFET在同类产品中具有最低的R(DS(ON))。通过优化总栅极电荷(Q(g))、门漏电荷(Q(gd))和门源电荷/门源电荷(Q(gs))比值，降低了与开关相关的功率损耗。极低Q(gd)“米勒”电荷使通过高原电压更快。它是包装在一个传统的PowerPAK  SO-8设计。在不改变封装尺寸和引脚结构的情况下，实现更高的功率密度。10-mil夹减少封装贡献电阻66%，并最大限度地提高硅的性能。

特性

• 提供最小的最大R(DS(ON))额定值V(GS) = 10 V

• 当R(DS(ON))削减传导功率损耗时增加功率密度

• 为最大R(DS(ON)) <0.6 毫欧的器件提供最低Q(g)

• 100% R(g)和ui测试

• 低Q(g)可以实现高效的DC/DC转换

• 可在PowerPAK SO-8包

应用程序

• 同步整流

• 高功率密度DC/DC

• 同步降压转换器

• o型环

• 负荷开关

• 电池管理