Vishay / Siliconix SiHG080N60E E系列功率mosfet采用第四代E系列技术，降低了开关和导通损耗。SiHG080N60E功率mosfet在TO-247AC封装中具有650V漏源极电压63nC总栅电荷。SiHG080N60E mosfet提供了一个低值(FOM) R(on) x Q(g)和一个低有效电容(C(o(er)))。

Vishay / Siliconix SiHG080N60E E系列功率mosfet是服务器、电信电源、开关模式(SMPS)和功率因数校正(PFC)电源的理想选择。

特性

• 第四代E系列技术

• 低数值(FOM) R(on) x Q(g)

• 低有效电容(C(o(er))

• 降低开关和导通损耗

• 雪崩额定能量(UIS)

应用程序

• 服务器电源、电信电源

• 开关电源(SMPS)

• 功率因数校正电源(PFC)

• 照明
  

• 高强度放电(HID)

• 荧光灯镇流器照明

• 工业
  

• 焊接

• 感应加热

• 马达驱动器

• 电池充电器

• 太阳能(光伏逆变器)

线路图