安森美半导体AFGY100 / AFGY120T65SPD场截止沟槽IGBT的介绍

安森美半导体的AFGY100T65SPD和AFGY120T65SPD场截止沟槽IGBT符合AEC-Q101的要求，并且具有非常低的导通和开关损耗。这些功能可在各种应用中实现高效运行，稳定的瞬态可靠性和低EMI。

On Semi AFGY100T65SPD和AFGY120T65SPD IGBT具有出色的并行操作性能和均衡的电流共享优势。此外，AFGY100T65SPD和AFGY120T65SPD IGBT具有紧密的参数分布，高输入阻抗和短路耐用性。

AFGY100 / AFGY120T65SPD特征

符合AEC-Q101

V CE（Sat） = 1.6V（Typ。）@ I C = 100A极低的饱和电压

T J = 175°C最高结温

正温度系数，易于并行操作

紧密的参数分布

高输入阻抗

100％的零件均经过I LM测试

短路强度

与软快速恢复二极管一起包装

应用领域

混合动力电动汽车牵引逆变器

辅助DC / AC转换器

马达驱动

其他需要大功率开关的动力总成应用

AFGY100 / AFGY120T65SPD应用原理图