安森美半导体AFGHL75T65SQD场截止沟槽IGBT的介绍

安森美半导体AFGHL75T65SQD场截止沟槽IGBT提供第四代高速IGBT技术。AFGHL75T65SQD已通过AEC-Q101认证，可为汽车应用中的硬开关和软开关拓扑提供最佳性能。

此外，ON Semi AFGHL75T65SQD场截止沟槽IGBT具有高电流能力，快速切换和紧密的参数分布的特点。

AFGHL75T65SQD IGBT特征

符合AEC-Q101

T J = 175°C最高结温

正温度系数，易于并行操作

高电流能力

V CE（Sat） = 1.6V（Typ。）@ I C = 75A低饱和电压

100％的零件均经过I LM测试

快速切换

紧密的参数分布

符合RoHS

AFGHL75T65SQD IGBT应用领域

汽车HEV-EV车载充电器

汽车HEV-EV DC-DC转换器

图腾柱无桥PFC

AFGHL75T65SQD IGBT电路应用图