安森美半导体AFGHL75T65SQ场截止沟槽IGBT的介绍、特性、应用及电路图

来源：HQBUY 发布时间：2020-12-25

摘要： 安森美半导体AFGHL75T65SQ场截止沟槽IGBT结合了第四代IGBT技术和最佳性能。AFGHL75T65SQ场截止沟槽IGBT具有低导通损耗和开关损耗的特点，可在不需要反向恢复规格的各种应用中实现高效运行。

安森美半导体AFGHL75T65SQ场截止沟槽IGBT结合了第四代IGBT技术和最佳性能。AFGHL75T65SQ场截止沟槽IGBT具有低导通损耗和开关损耗的特点，可在不需要反向恢复规格的各种应用中实现高效运行。

安森美半导体AFGHL75T65SQ场截止沟槽IGBT

ON Semi AFGHL75T65SQ场截止沟槽IGBT具有高电流能力，低饱和电压和紧密的参数分布。IGBT非常适合汽车，车载和车载充电器，DC-DC转换器应用。

T J = 175°C最高结温

正温度系数，易于并行操作

高电流能力

V CE（Sat） = 1.6V（Typ。）@ I C = 75A低饱和电压

100％的零件均经过I LM测试

快速切换

紧密的参数分布

符合AEC-Q101和PPAP标准

汽车行业

车载和车载充电器

DC-DC转换器

全氟化合物

工业变频器

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号