英飞凌1200V PIM IGBT模块的介绍、及其特性

来源：HQBUY 发布时间：2020-12-28

摘要： 英飞凌Infineon Technologies 1200V PIM IGBT模块基于最新的微图案沟槽技术提供TRENCHSTOP?IGBT7和EC7二极管技术。该技术可大大减少损失，并提供高度的可控性。

英飞凌Infineon Technologies 1200V PIM IGBT模块基于最新的微图案沟槽技术提供TRENCHSTOP?IGBT7和EC7二极管技术。该技术可大大减少损失，并提供高度的可控性。与以前使用的方形沟槽单元相比，单元概念的特征在于实现了由亚微米台面分隔的平行沟槽单元。

英飞凌1200V PIM IGBT模块

该芯片专门针对工业驱动应用和太阳能系统进行了优化，这意味着更低的静态损耗，更高的功率密度和更软的开关。通过将英飞凌1200V PIM IGBT模块中允许的最高工作温度提高到175°C，可以显着提高功率密度。

过载能力

降低导通电压

增强的可控性

改良二极管

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