英飞凌科技650V CoolMOS CFD7 SJ功率MOSFET的介绍

英飞凌科技Infineon Technologies 650V CoolMOS CFD7 SJ功率MOSFET是超快二极管，扩展了CFD7系列的电压等级产品。功率MOSFET带有附加的50V击穿电压，集成的快速体二极管，改进的开关性能和出色的热性能。

这些CFD7功率MOSFET在诸如LLC和相移全桥（ZVS）等谐振开关拓扑结构中提供了最高效率。MOSFET融合了快速开关技术的所有优点以及出色的硬计算稳定性。这些功率MOSFET支持符合可靠性标准的CoolMOS?CFD7技术，并且还支持高功率密度解决方案。

650V CoolMOS CFD7 SJ功率MOSFET具有降低的开关损耗，并提高了工业SMPS应用中的满载效率。功率MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C。这些CFD7 SJ功率MOSFET完全符合JEDEC的工业应用标准，并提供PG-TO247-3，PG-TO247-4-3和PG-TO220-3封装。MOSFET适用于软开关拓扑，快速EV充电，服务器电源，太阳能系统解决方案和电信基础设施。

650V CoolMOS CFD7 SJ功率MOSFET特征

超快体二极管

650V击穿电压

一流的R DS（on）

减少开关损耗

对温度的低R DS（on） 依赖性

出色的硬换向耐用性

总线电压提高的设计具有额外的安全裕度

支持增加功率密度的解决方案

工业SMPS应用中出色的轻载效率

在工业SMPS应用中提高了满载效率

与以前的CoolMOS系列相比具有价格竞争力

650V CoolMOS CFD7 SJ功率MOSFET技术指标

69A至44A连续漏极电流I D

304A脉冲漏极电流I D，脉冲

305W功耗P tot

-55°C至150°C的工作结温和存储温度范围

650V CoolMOS CFD7 SJ功率MOSFET应用领域

LLC应用：

服务器

电讯

电动汽车充电

太阳能的

适用于软交换拓扑

针对相移全桥（ZVS）进行了优化