电源设计人员可以使用意法半导体公司最新的900 V MDmesh K5超级结mosfet，提供一流的导通电阻(R(DS(ON))和动态特性，满足系统对更高功率和更高效率的需求。

在高母线电压的系统中，900 V的击穿电压确保了额外的安全裕度。该系列包含头900 V mosfet R(DS(ON))低于100 毫欧，并在DPAK器件中提供业界最好的R(DS(ON))。此外，具有业界最低的门电荷(Q(G))，他们确保更快的开关，更大的灵活性，输入电压范围是必需的。这些特性确保了所有类型反激变换器的高效率和可靠性，包括标准、准谐振和有源箝位设计，涵盖额定功率低至35w至230w或更高。此外，在半桥LLC谐振变换器中，低输入和输出电容(C(ISS)， C(OSS))使零电压开关具有最小的能量损耗。

增加安全系数和优良的静态和动态行为的新设备使设计师能够提高性能的各种各样的产品,如服务器电源,三相开关电源(smp), LED照明用品,电动汽车(EV)充电器、太阳能发电机、焊工、工业驱动,和工厂自动化。

ST公司的MDmesh K5超级结晶体管系列提供额定电压为800 V, 850 V, 900 V, 950 V, 1050 V, 1200 V和1500 V的多种选择。与多种封装选项一起，包括TO-220AB, TO-220FP, TO-247, TO-247长引线，IPAK和I(2)PAK，以及D(2)PAK和DPAK表面贴装电源封装，ST的超级junction器件为设计师提供了一个全面的超高压(VHV) mosfet。