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摘要： Central Semiconductor公司的CDM2206-800LR n沟道MOSFET高压，快速开关应用
Central Semiconductor CDM2206-800LR是一个800 V n沟道MOSFET设计用于高压，快速开关应用，如功率因数校正(PFC)，照明，和功率逆变器。该MOSFET结合了高电压能力和超低R(DS(ON))，低阈值电压和低栅极电荷，以获得最佳效率。
特性
高电压能力(V(DS)= 800 V)
低栅极电荷(Q(gs)= 2.8 nC TYP)
超低R(DS(ON))(0.8欧姆TYP)
应用程序
功率因数校正
替代能源逆变器
固态照明(SSL)
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