ON Semiconductor NCx51705的低侧，单6a高速驱动器的设计主要驱动SiC MOSFET晶体管。为了达到可能的最低传导损耗，驱动器可以向SiC MOSFET器件提供最大允许栅电压。通过在开断过程中提供高峰值电流，开关损耗也被最小化。为了提高可靠性，dv/dt免疫，甚至更快的关闭，NCx51705可以利用其车载电荷泵产生用户可选择的负电压轨道。对于隔离应用，NCx51705还提供外部可访问的5 V轨道，以驱动数字或高速光电隔离器的次级侧。

资源

• 技术文档:SiC mosfet:栅极驱动优化

• 技术资料:氮化镓晶体管和碳化硅晶体管之间的区别

• 利用带隙在HEV/EV充电应用

特性

• 具有分离输出级的峰值输出电流

• 扩展正电压额定值高达28 V最大

• 用户可调节内置负电荷泵(-3.3 V至-8 V)

• 可访问5v参考/偏置导轨

• 可调欠压锁定

• 快速减饱和函数

• QFN24封装4毫米x 4毫米

• 允许独立开/关调节

• 有效的SiC MOSFET工作在传导期间

• 快速关闭和强大的dv/dt免疫

• 在隔离栅驱动应用中最小化偏置电源的复杂性

• 足够的V(GS)振幅匹配SiC最佳性能

• 自我保护的设计

• 寄生电感小、低封装

应用程序

• 高性能的逆变器

• 大功率电动机驱动

• 图腾柱全氟化物

• 工业及汽车司机

• UPS和太阳能逆变器

• 大功率直流充电器