摘要: EPC的EPC2051比同类硅小30倍,在500千赫时能达到97%的效率
EPC2051 100 V eGaN功率晶体管的最大R(DS(on))为25 毫欧,脉冲输出电流为37 a,可实现高效功率转换,占地1.1 mm(2)。
尽管占地面积小,EPC2051在50v至12v buck变换器中以500 kHz切换,4 a输出时达到97%的效率。此外,EPC2051的低成本使GaN fet的性能在价格上可与硅mosfet相媲美。得益于这种性能、小尺寸和低成本的应用包括用于计算和电信系统的48 V输入功率转换器、激光雷达、LED照明和d类音频。
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