Infineon Technologies 600 V CoolMOS P7功率晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2022-10-25

摘要： Infineon的600 V CoolMOS P7 SJ MOSFET采用TO-247 4引脚封装，不对称引线

英飞凌600 V CoolMOS P7 SJ MOSFET的巨大产品组合现在包括了标准to - 2474引脚封装的改进版本。不对称引线的TO-247 4引脚在关键引线之间增加了0.54 mm的爬电距离，使波峰焊更加平滑，减少了板的良率损失。源的附加连接(开尔文连接)被用作栅极驱动电压的参考电势，消除了电压降对源电感的影响，从而实现更快的切换瞬变，从而显著提高效率。这允许更高的MOSFET R(DS(on))使用量和BOM成本的节省。CoolMOS P7是英飞凌最好的平衡技术，具有易用性和最高能效的优化平衡。

TO-247 4引脚概念(TO-247 vs. TO-247 4引脚)

由CGS放电触发的MOSFET再开启(on) 效率损失以上模拟造成E(上)损失130μJ		清洁波形保护第四针打开损耗减少2倍以上模拟使用E - 247 4-pin减少损失了一半 = 63μJ
好处		特性
适用于硬、软开关(PFC和LLC) 易于使用和快速设计，通过低振铃倾向和使用跨PFC和PWM级由于低开关和传导损耗，简化了热管理 2千伏静电保护，提高了制造质量通过使用占地面积更小的产品，增加了功率密度解决方案适用于各种应用和功率范围减少寄生源电感对栅极电路的影响，使开关速度更快，效率更高利用开尔文光源效率的优点允许使用更高的MOSFET R(DS(上))降低BOM成本爬电距离满足海拔5000米要求更容易由客户设计不对称引线可简化波峰焊和改善板的成品率损失		杰出的交换强度优化了效率和易用性之间的平衡显著降低开关和导通损耗所有产品均具有良好的ESD稳健性>2 kV (HBM) 更好的R(DS(上))/包装产品相比竞争使R较低(DS(上))x A(低于1欧姆x mm(2)) 大组合颗粒R(DS(上))选择合格的各种工业和消费级应用 4管脚(开尔文源) 爬电距离增加高电压引脚之间门信号优化不对称引线增加关键引脚距离
应用程序
电信服务器		太阳能工业

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TO-247 4引脚概念(TO-247 vs. TO-247 4引脚)

由CGS放电触发的MOSFET再开启(on) 效率损失以上模拟造成E(上)损失130μJ		清洁波形保护第四针打开损耗减少2倍以上模拟使用E - 247 4-pin减少损失了一半 = 63μJ
好处		特性
适用于硬、软开关(PFC和LLC) 易于使用和快速设计，通过低振铃倾向和使用跨PFC和PWM级由于低开关和传导损耗，简化了热管理 2千伏静电保护，提高了制造质量通过使用占地面积更小的产品，增加了功率密度解决方案适用于各种应用和功率范围减少寄生源电感对栅极电路的影响，使开关速度更快，效率更高利用开尔文光源效率的优点允许使用更高的MOSFET R(DS(上))降低BOM成本爬电距离满足海拔5000米要求更容易由客户设计不对称引线可简化波峰焊和改善板的成品率损失		杰出的交换强度优化了效率和易用性之间的平衡显著降低开关和导通损耗所有产品均具有良好的ESD稳健性>2 kV (HBM) 更好的R(DS(上))/包装产品相比竞争使R较低(DS(上))x A(低于1欧姆x mm(2)) 大组合颗粒R(DS(上))选择合格的各种工业和消费级应用 4管脚(开尔文源) 爬电距离增加高电压引脚之间门信号优化不对称引线增加关键引脚距离
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