摘要: 亚德诺半导体的宽带合成器提供了一个宽的输出频率范围和两个合成器模式在一个小的7毫米x 7毫米封装
亚德诺半导体的ADF5610允许分数n或整数n锁相环(PLL)频率合成器与外部环路滤波器和外部参考源一起使用。宽带微波压控振荡器(VCO)设计允许在单个射频(RF)输出下的频率操作范围从7300 MHz到14600 MHz。具有差动频率输出的一系列分频器允许工作范围从57 MHz到14600 MHz。PLL电路的模拟和数字电源范围为3.1 V到3.5 V, VCO电源范围为4.75 V到5.25 V。电荷泵供电电压可扩展至3.6 V,以改善频带重叠和扩展上频段范围。
ADF5610集成了一个基本频率为3650 MHz到7300 MHz的压控振荡器。这些频率是内部加倍和路由到RF(OUT)引脚。一个额外的差分输出允许双压控振荡器频率被1、2、4、8、16、32、64或128除,允许用户生成RF输出频率低至57 MHz。一个简单的3线串行端口接口(SPI)提供对所有片上寄存器的控制。为了节省电力,这个分隔块可以在不需要的时候通过SPI接口被禁用。同样,输出功率为单端输出和差分输出都是通过VCO寄存器设置可编程的。ADF5610还包含VCO电路和PLL电路的各种断电模式。
特性
VCO相位噪声:-114 dBc/Hz在100 kHz从10 GHz
7毫米×7毫米集成溶液
输出频率范围宽:57 MHz至14,600 MHz
RF(OUT): 7300 MHz至14,600 MHz
PDIV/NDIV: 57 MHz至14,600 MHz
分数- n合成器和整数- n合成器模式
24位部分模
精确的频率模式为0赫兹频率错误
典型的PFD杂散:小于- 105dbc
集成RMS抖动:小于40 fs
保持频率锁定超过-40°C至+85°C(锁定并离开)
RF(OUT)功率:5 dBm
可编程除1,2,4,8,16,32,64,或128输出
可编程序输出功率级
归一化带内相位噪声下限
高电流模式:-232 dBc/Hz(整数)和-229 dBc/Hz(小数)
正常模式:-229 dBc/Hz(整数)和-226 dBc/Hz(小数)
低相位噪声压控振荡器
-115 dBc/Hz,典型频率为100 kHz (7.3 GHz)
-114 dBc/Hz,典型频率为100 kHz (10 GHz)
-109 dBc/Hz,典型频率为100 kHz (14.6 GHz)
可编程低电流和功耗:小于700mw
快速跳频(autocalibration启用):不到40μ年代
48端子,7毫米×7毫米LGA封装:49毫米2
典型功耗:815 mW
应用程序
军事和国防
测试设备
时钟一代
无线基础设施
卫星及甚小孔径终端VSAT
微波无线电
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