ROHM Semiconductor增加了12个汽车级SiC mosfet，为汽车车载充电器和DC/DC转换器提供了必要的高可靠性。

近年来，随着环保意识的增强和燃料成本的上升，越来越多的汽车制造商推出了电动汽车。然而，尽管电动汽车正变得越来越普遍，它们相对较短的行驶里程仍然存在问题。为了提高电池的行驶距离，电池正朝着容量更大、充电时间更短的方向发展。这就需要高功率和高效率的车载充电器，如11千瓦和22千瓦，导致碳化硅mosfet的采用增加。此外，更高电压的电池(800v)需要功率器件具有低损耗和更高的耐压。

为了满足这些需求，ROHM在其AEC-Q101合格mosfet产品线中增加了12种型号，它们采用沟槽栅结构。结果是一个大的组合，可在650 V和1200 V的变体。

特性

• AEC-Q101兼容

• 可选650 V(DS)或1200 V(DS)

• ON电阻:17 毫欧到160 毫欧(typ)

• 通过无铅认证