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摘要： ON Semiconductor的SiC mosfet提供高效率，增加功率密度，减少系统尺寸
ON Semiconductor的1200v SiC mosfet使用了一种技术，与硅相比，该技术提供了优越的开关性能和更高的可靠性。低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅极电荷。系统的优点包括高效率、更快的操作频率、更高的功率密度、减少电磁干扰和减小系统尺寸。
特性
1200 V级
低导通电阻
紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅极电荷
高速开关，低电容
100% UIL测试
符合AEC-Q101标准
应用
PFC
OBC
提高逆变器
太阳能充电器
用于电动汽车/插电式混合动力汽车的直流/直流转换器
汽车车载充电器
汽车辅助电动机驱动
太阳能逆变器
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