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Vishay/Siliconix

SiHH068N60E第四代600v E系列MOSFET

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-19

摘要： SiHH068N60E MOSFET是建立在Vishay最新的节能E系列超结技术

SiHH068N60E是Vishay公司第四代600v E系列功率mosfet中最新的器件。Vishay Siliconix n通道SiHH068N60E为电信、工业和企业供电应用提供高效率，是目前业界同类器件中最低的门电荷时间导阻，是功率转换应用中使用的600 V mosfet的关键价值(FOM)。基于Vishay公司最新的节能E系列超结技术，与上一代600 V E系列mosfet相比，该器件的导通电阻降低了27%，同时降低了60%的栅极电荷。3.1欧姆*nC的FOM比同类中最接近的MOSFET低12%。

特性

第四代E系列技术
低FOM R(ON) x Q(g)
低有效电容(Co(er))

减少开关和传导损耗
额定雪崩能量(UIS)
开尔文连接，减少栅极噪声

应用程序

服务器和电信电源
开关电源
功率因数校正(PFC)电源
照明
- 高强度放电(HID)
- 荧光灯镇流器照明

工业

焊接
感应加热
马达驱动器
电池充电器
太阳能(光伏逆变器)

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