Vishay的鸥翼引线mosfet比DPAK少使用50%的空间

Vishay's SiR638DP, n通道，40v MOSFET特性高电流和低RDS(ON)

Vishay公司的DG2592和DG2750采用超薄0.35 mm的迷你qfn10封装，可用于便携式应用

Vishay介绍了一种p通道MOSFET，减少功率和传导损耗，并使功率密度增加

Vishay的600v和650v E系列mosfet在PowerPAK SO-8L封装中提高了可靠性和降低了封装电感

Vishay Siliconix的SISF20DN-T1-GE3旨在提高电池管理系统的功率密度和效率

Vishay Siliconix公司的DGQ2788A设计用于-40°C到+125°C的工作，0.37欧姆的低平电阻和高338 MHz带宽的紧凑miniQFN16

Vishay Siliconix的功率mosfet具有优良的动态参数，可优化开关特性

Vishay Siliconix提供他们的汽车双n通道MOSFET在PowerPAK SO-8L双非对称封装

Vishay's SiR626DP-T1-RE3 60 V n通道MOSFET提供一流的RDS(ON) - Qg merit (FOM)

Vishay公司的Si8817DB P-Channel 20 V MOSFET具有低导通电阻小微脚0.8 mm封装

Vishay提供具有行业低导通电阻的mosfet，增加功率密度和效率

Vishay的p通道mosfet具有最低的导通电阻每区域，使最小的pcb

SiHH068N60E MOSFET是建立在Vishay最新的节能E系列超结技术

Vishay Siliconix SUM90142E-GE3 200 V n通道MOSFET额定温度175°C，可用于D2PAK (TO-263)封装